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BB804W235

更新时间: 2024-10-02 03:08:11
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
DIODE VHF BAND, 18 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Variable Capacitance Diode

BB804W235 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.06最小击穿电压:18 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最小二极管电容比:1.65
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.02 µA
反向测试电压:16 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BB804W235 数据手册

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