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BB804W

更新时间: 2024-09-30 22:27:19
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恩智浦 - NXP 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 62K
描述
VHF variable capacitance double diode

BB804W 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.06最小击穿电压:18 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管电容容差:1.68%
最小二极管电容比:1.65标称二极管电容:44.75 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BB804W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
lfpage  
BB804  
VHF variable capacitance double  
diode  
1998 Nov 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 May 03  

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