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BB55502VH7912XTSA1

更新时间： 2024-10-17 15:43:31

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	906K
描述
Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 18.7pF C(T), 30V, Silicon, SC-79, 2 PIN

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BB55502VH7912XTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.57
其他特性：	LOW INDUCTANCE	最小击穿电压：	30 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	6.67%
最小二极管电容比：	6	标称二极管电容：	18.7 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BB55502VH7912XTSA1 数据手册

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BB535/BB555...

Silicon Tuning Diode

• For UHF-TV-tuners

• High capacitance ratio

• Low series inductance

• Low series resistance

• Excellent uniformity and matching due to

"in-line" matching assembly procedure

• Pb-free (RoHS compliant) package

BB535

BB555/-02V

Type

BB535

BB555

Package

SOD323

SCD80

SC79

Configuration

single

L (nH) Marking

1.8

0.6

white S

BB555-02V

single

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

R ≥ 5kΩ

°C

Forward current

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ... 150

stg

2011-06-15

12 3 4 5 6 7...9

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BB55502VH7912XTSA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BB55502VH7902XTSA1	INFINEON	完全替代	Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 18.7pF C(T), 30V, Silicon, SC-79, 2 PIN

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