是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOIC-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 6.9 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | BUFFER | 最大平均偏置电流 (IIB): | 20 µA |
标称带宽 (3dB): | 180 MHz | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 20 µA |
最大输入失调电压: | 100000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 4.9 mm |
湿度敏感等级: | 3 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TR | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 标称压摆率: | 2000 V/us |
子类别: | Buffer Amplifier | 最大压摆率: | 20 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BUF634U/2K5E4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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BUF634U-2K5 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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BUF634U-2K5E4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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BUF634UE4 | BB | 250mA HIGH-SPEED BUFFER |
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BUF634U-TR | BB | Buffer Amplifier, 1 Func, PDSO8, |
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BUF636A | TEMIC | Silicon NPN High Voltage Switching Transistor |
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