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BAW222E6327

更新时间： 2024-09-23 20:09:03

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
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5页	236K
描述
Variable Capacitance Diode, 1.5pF C(T), 85V, Silicon, SC-75, SMD, 3 PIN

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BAW222E6327 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
最小击穿电压：	85 V	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
标称二极管电容：	1.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.715 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	4.5 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAW222E6327 数据手册

BAV222 / BAW222

Silicon Switching Diode

• For high-speed switching applications (trr < 4ns)

• Very low diode capacitance (C < 1.5pF)

• Small SMD package SC75 (JEDEC: SOT416)

BAV222

BAW222

Type

BAV222*

BAW222*

Package

SC75

Configuration

common cathode

common anode

Marking

A4s

A1s

* Preliminary

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

200

300

4.5

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

Peak forward current

Surge forward current, t = 1µs

Mean rectifying current

Total power dissipation

100

tot

BAV222, T ≤ 73°C

250

BAW222, T ≤ tbd

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

-65 ... 150

Oct-07-2003

12 3 4 5

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