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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV99RWT1
BAV99RWT1 PDF预览

BAV99RWT1

更新时间： 2024-09-22 22:23:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
6页 131K
描述
SC-70/SOT-323 Dual Series Switching Diode

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BAV99RWT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：419-04, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.42Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAV99RWT1 数据手册

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by BAV99WT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Devices  
The BAV99WT1 is a smaller package, equivalent to the BAV99LT1.  
Suggested Applications  
3
•
•
•
•
•
ESD Protection  
1
Polarity Reversal Protection  
Data Line Protection  
Inductive Load Protection  
Steering Logic  
2
ANODE  
1
CATHODE  
2
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
CATHODE/ANODE  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
BAV99WT1  
CASE 419–02, STYLE 9  
SC–70/SOT–323  
Reverse Voltage  
V
R
Forward Current  
I
F
215  
500  
70  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
I
FM(surge)  
CATHODE  
ANODE  
2
V
RRM  
1
(1)  
Average Rectified Forward Current  
I
715  
mA  
F(AV)  
(averaged over any 20 ms period)  
Repetitive Peak Forward Current  
Non–Repetitive Peak Forward Current  
3
I
450  
mA  
A
CATHODE/ANODE  
FRM  
I
BAV99RWT1  
CASE 419–02, STYLE 10  
SC–70/SOT–323  
FSM  
t = 1.0  
s
2.0  
1.0  
0.5  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 S  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
(1)  
T = 25°C  
A
P
200  
mW  
D
FR–5 Board,  
Derate above 25°C  
1.6  
625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
°C  
1. FR–5 = 1.0  
0.75  
0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
DEVICE MARKING  
BAV99WT1 = A7  
BAV99RWT1 = F7  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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BAV99RWT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV99RWT1G ONSEMI

类似代替

 Dual Series Switching Diodes
BAV99RWT1 MOTOROLA

功能相似

 SC-70/SOT-323 Dual Series Switching Diode

与BAV99RWT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV99RW-T1 WTE

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 70V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
BAV99RWT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual Series Switching Diodes
BAV99RW-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.215A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
BAV99RWT3 MOTOROLA

获取价格

 		0.715A, 70V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, CASE 419-02, SC-70, 3 PIN
BAV99S NEXPERIA

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 		High-speed switching diodeProduction
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