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BAV99-B0RFG

更新时间： 2024-09-24 01:06:55
品牌 Logo 应用领域
TSC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
225mW SMD Switching Diode

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BAV99-B0RFG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAV99-B0RFG 数据手册

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BAW56, BAV70, BAV99  
Taiwan Semiconductor  
Small Signal Product  
225mW SMD Switching Diode  
FEATURES  
- Fast switching speed  
- Surface mount device type  
- Moisture sensitivity level 1  
- Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
- Pb free and RoHS compliant  
- Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
MECHANICAL DATA  
- Case: SOT-23 small outline plastic package  
- Terminal: Matte tin plated, lead free,  
solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed  
SOT-23  
- High temperature soldering guaranteed: 260oC/10s  
- Weight: 0.008grams (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
VALUE  
SYMBOL  
UNIT  
mW  
V
Power dissipation  
PD  
VRRM  
IFRM  
IO  
225  
Peak repetitive reverse voltage  
Repetitive peak forward current  
Mean forward current  
70  
450  
mA  
mA  
200  
Pulse Width=1 sec  
0.5  
Non-repetitive peak forward  
surge current  
IFSM  
A
Pulse Width=1 µsec  
2
oC/W  
oC  
Thermal resistance form junction to ambient  
Junction and storage temperature range  
RθJA  
556  
TJ , TSTG  
- 55 to + 150  
PARAMETER  
MIN  
70  
MAX  
-
SYMBOL  
UNIT  
IR = 100 µA  
IF = 50 mA  
Reverse breakdown voltage  
V(BR)  
V
-
1.00  
1.25  
2.50  
2
VF  
IR  
Forward voltage  
V
IF = 150 mA  
VR = 70 V  
-
Reverse leakage current  
-
µA  
pF  
pF  
BAW56, BAV70  
-
VR = 0 V,  
f = 1 MHz  
CJ  
Junction capacitance  
Reverse revovery time  
BAV99  
-
1.5  
IF = IR = 10 mA, RL = 100 Ω, IRR = 1 mA  
trr  
-
6
ns  
Version: H14  
Document Number: DS_S1404011  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV99B5003 INFINEON

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BAV99BDW CJ

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