生命周期: | Transferred | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.07 |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流: | 1 A |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | CECC50001-066 | 最大反向电流: | 0.1 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV74TC | ZETEX |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon | |
BAV74TR | ALLEGRO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.07A, Silicon | |
BAV74TRL | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon | |
BAV74TRL13 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon | |
BAV756 | NXP |
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High-speed switching diode array | |
BAV756DW | WINNERJOIN |
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SWITCHING DIODE | |
BAV756DW | TYSEMI |
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For General Purpose Switching Applications, High Conductance | |
BAV756DW | WEITRON |
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Surface Mount Switching Multi-Chip | |
BAV756DW | LGE |
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Surface Mount Fast Switching Diodes | |
BAV756DW | DIODES |
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QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |