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BAV70WT1 PDF预览

BAV70WT1

更新时间： 2024-11-17 22:08:35
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关光电二极管
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3页 66K
描述
Dual Switching Diodes

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BAV70WT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BAV70WT1 数据手册

 浏览型号BAV70WT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV70WT1的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Switching Diodes  
BAV70WT1  
3
DEVICE MARKING  
1
BAV70WT1 = A4  
2
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
CASE 419–04, STYLE 5  
SOT–323 (SC–70)  
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Max  
Unit  
V R  
IF  
70  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
ANODE  
2
ANODE  
1
Forward Current  
200  
500  
Peak Forward Surge Current  
IFM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
CATHODE  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)  
PD  
200  
mW  
TA = 25°C  
Derate above 25°C  
1.6  
0.625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
TJ, Tstg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I(BR) = 100 µAdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V(BR)  
70  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(VR = 70 Vdc)  
IR1  
IR2  
CD  
—
—
—
5.0  
100  
1.5  
µAdc  
nAdc  
pF  
(VR = 50 Vdc)  
Diode Capacitance  
(VR = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
VF  
mVdc  
(IF = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
—
715  
855  
(IF = 10 mAdc)  
(IF = 50 mAdc)  
1000  
1250  
6.0  
(IF = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
(IF= IR=10 mAdc, RL= 100Ω, IR(REC)= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
Forward Recovery Voltage  
(IF = 10 mAdc, tr = 20 ns) (Figure 2)  
1. FR–5 = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 × 0.3 × 0.024 in. 99.5% alumina.  
trr  
ns  
V
VRF  
—
1.75  
3.For each individual diode while the seeond diode is unbiased.  
BAV70WT1–1/3  
123

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BAV70WTF2 YANGJIE

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon,
BAV70WTHE3 MCC

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 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;

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