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BAV70LT1

更新时间： 2024-11-17 22:05:59
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乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

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BAV70LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL

BAV70LT1 数据手册

  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Monolithic Dual Switching Diode  
Common Cathode  
BAV70LT1  
3
1
ANODE  
1
3
CATHODE  
2
2
ANODE  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT–23 (TO–236AB)  
DEVICE MARKING  
BAV70LT1 = A4  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Current  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
I F  
200  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I FM(surge)  
500  
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board (1)  
T A = 25°C  
P D  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
Alumina Substrate, (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
417  
T J , T stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I (BR) = 100 µAdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V (BR)  
I R  
70  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V R = 25 Vdc, T J = 150°C)  
(V R = 70 Vdc)  
µAdc  
—
—
—
60  
2.5  
100  
(V R = 70 Vdc, T J = 150°C)  
Diode Capacitance  
C D  
V F  
—
1.5  
pF  
(V R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
mVdc  
(I F = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
(I F = 10 mAdc)  
(I F = 50 mAdc)  
1000  
1250  
(I F = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
R L = 100 Ω  
t rr  
—
6.0  
ns  
(I F = I R = 10 mAdc, V R = 5.0 Vdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
G5–1/1  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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