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BAV70LT1

更新时间： 2024-02-24 00:35:41
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

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BAV70LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.43
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAV70LT1 数据手册

  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Monolithic Dual Switching Diode  
Common Cathode  
BAV70LT1  
3
1
ANODE  
1
3
CATHODE  
2
2
ANODE  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT–23 (TO–236AB)  
DEVICE MARKING  
BAV70LT1 = A4  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Current  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
I F  
200  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I FM(surge)  
500  
mAdc  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board (1)  
T A = 25°C  
P D  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
Alumina Substrate, (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
417  
T J , T stg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I (BR) = 100 µAdc)  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
V (BR)  
I R  
70  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V R = 25 Vdc, T J = 150°C)  
(V R = 70 Vdc)  
µAdc  
—
—
—
60  
2.5  
100  
(V R = 70 Vdc, T J = 150°C)  
Diode Capacitance  
C D  
V F  
—
1.5  
pF  
(V R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
mVdc  
(I F = 1.0 mAdc)  
—
—
—
—
715  
855  
(I F = 10 mAdc)  
(I F = 50 mAdc)  
1000  
1250  
(I F = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
R L = 100 Ω  
t rr  
—
6.0  
ns  
(I F = I R = 10 mAdc, V R = 5.0 Vdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
G5–1/1  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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