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BAV301P

更新时间： 2024-11-05 20:02:19

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	636K
描述
DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2, Signal Diode

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BAV301P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	HERMETIC SEALED, MICROMELF-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Base Number Matches：	1

BAV301P 数据手册

M C C

BAV300

THRU

BAV303

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

•

Saving Space

Silicon Epitaxial Planar Diodes

Hermetic Sealed Parts

Fits onto SOD-323/SOT-23 footprints

Switching Diodes

Electrical data identical with the devices BAV100…BAV103

Maximum Ratings

MICROMELF

Continuous Reverse

Voltage

BAV300

BAV301

BAV302

BAV303

50V

T_A=25℃

100V

150V

200V

V_R

Cathode Mark

Repetitive Peak Reverse

Voltage

BAV300

60V

BAV301

BAV302

BAV303

120V

200V

250V

V_RRM

T_A=25℃

Forward DC Current

250mA

625mA

1.0A

I_F

Repetitive Peak Forward

Current

f=50Hz, T_A=25℃

T_P=1s, T_j=25℃

Note (1)

I_FRM

I_FSM

R_thJA

Surge Forward Current

Thermal Resistance

Junction to Ambient

500K/W

175℃

Junction temperature

T_j

-65 to + 175℃

Storage temperature Range

T_stg

Note: (1) mounted on epoxy-glass hard tissue, Fig.4 35μm copper clad, 0.9 mm²

copper area per electrode

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

MIN

Maximum Forward Voltage

DIM

MAX

.079

.008

.051

MIN

1.8

MAX

2.0

NOTE

I_F= 100mA ,T_A=25℃

V_F

1.00V

.071

.004

.047

.10

1.20

.20

1.30

Maximum Leakage current

BAV300

100nA

15μA

100nA

15μA

100nA

15μA

100nA

15μA

V_R=50V

V_R=50V, Tj=100℃

V_R=100V

BAV300

BAV301

BAV302

BAV303

V_R=100V, Tj=100℃

I_R

V_R=150V

V_R=150V, Tj=100℃

V_R=200V

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

V_R=200V, Tj=100℃

0.039

Maximum Leakage current

BAV300

BAV301

BAV302

BAV303

60V

120V

200V

250V

I_R=100μA, t

P/T=0.01,

tP=0.3ms

V_(BR)

0.055”

Diode Capacitance

C_D

t_rr

1.5pF

50ns

V_R=0V, f=1.0MHz

Maximum Reverse recovery

time

I_F=10mA, I_R=30mA

I_rr=3.0mA, R_L=100Ω

0.030”

Differential Forward

Resistance

r_F

5.0 Ω

I_F=10mA

www.mccsemi.com

Revision: 3

2006/05/28

1 of 3

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与BAV301P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV301-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
BAV301-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2
BAV301TR	VISHAY	获取价格	SIGNAL DIODE, GLASS, MICROMELF-2
BAV301-TR	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV301TR3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, GLASS, MICROMELF-2
BAV301-TR3	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV302	PANJIT	获取价格	HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAV302	MCC	获取价格	Switching Diodes
BAV302	VISHAY	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diodes
BAV302	TRSYS	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE