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BAV23

更新时间： 2024-05-23 22:23:10

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2页	573K
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SOT-23

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BAV23 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
湿度敏感等级：	1	Base Number Matches：	1

BAV23 数据手册

SEMICONDUCTOR

BAV23

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

TECHNICAL DATA

High Voltage Switching.

FEATURES

· Low Leakage Current.

· Repetitive Peak Reverse Voltage : V_RRM≦250V.

· Low Capacitance : C_T≦2pF.

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Maximum (Peak) Reverse Voltage

Reverse Voltage

SYMBOL RATING

UNIT

V_RM

V_R

I_FM

I_F

250

200

Maximum (Peak) Forward Current

Forward Current

625

225

t = 1μs

Surge Current

I_FSM

t = 100μs

(Square wave)

t = 10ms

1.7

P_D

T_j

Power Dissipation

250*

150

℃

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

℃

Note : * Device mounted on a FR4 Printed-Circuit Board (PCB)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

1.0

UNIT

I_F=100mA

V_F

Forward Voltage

I_F=200mA

1.25

0.1

V_R=200V

I_R

Reverse Current

μA

V_R=200V, T_j=150℃

V_R=0V, f=1MHz

I_F=10mA, I_R=10mA, I_RM=1mA

100

C_T

t_rr

Total Capacitance

Reverse Recovery Time

2012. 11. 13

Revision No : 1

1/2

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