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BAV170LT1 PDF预览

BAV170LT1

更新时间： 2024-02-15 05:50:29
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

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BAV170LT1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.19其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：0.5 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向电流：0.005 µA
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAV170LT1 数据手册

 浏览型号BAV170LT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Monolithic Dual Switching Diode  
This switching diode has the following features:  
.
Low Leakage Current Applications  
BAV170LT1  
.
Medium Speed Switching Times  
.
Available in 8 mm Tape and Reel  
3
Use BAV170LT1 to order the 7 inch/3,000 unit reel  
Use BAV170LT3 to order the 13 inch/10,000 unit reel  
1
2
1
ANODE  
CASE 318–08, STYLE 9  
SOT– 23 (TO–236AB)  
3
CATHODE  
2
ANODE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
Reverse Voltage  
Forward Current  
I F  
200  
mAdc  
mAdc  
Peak Forward Surge Current  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
IFM(surge)  
500  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR- 5 Board (1)  
P D  
225  
mW  
TA = 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RθJA  
PD  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R θJA  
T J , T stg  
417  
°C/W  
°C  
-55 to +150  
BAV170LT1 = JX  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 µAdc)  
Reverse Voltage Leakage Current (VR = 70 Vdc)  
Reverse Voltage Leakage Current (VR = 70 Vdc, TJ = 150°C)  
Diode Capacitance (V R = 0 V, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc)  
V(BR)  
IR  
70  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0  
Vdc  
nAdc  
80  
CD  
2.0  
pF  
V
900  
1000  
1100  
1250  
3.0  
mVdc  
F
Forward Voltage (I F = 10 mAdc)  
Forward Voltage (I F = 50 mAdc)  
Forward Voltage (I F = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
R L = 100 Ω  
t rr  
µs  
(I F = IR = 10 mAdc) (Figure 1)  
1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
G8–1/2  
12

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