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BAV170

更新时间: 2024-09-30 22:39:19
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关PC
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
Silicon Low Leakage Diode Array (Low leakage applications Medium speed switching times Common cathode)

BAV170 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.15Is Samacsys:N
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:4.5 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:70 V
最大反向恢复时间:1.5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAV170 数据手册

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Silicon Low Leakage Diode Array  
BAV 170  
Low leakage applications  
Medium speed switching times  
Common cathode  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
BAV 170  
JXs  
Q62702-A920  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Reverse voltage  
V
R
70  
V
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
RM  
70  
IF  
200  
mA  
A
Surge forward current, t = 1 µs  
IFS  
4.5  
Total power dissipation, T  
S
= 35 ˚C  
P
tot  
250  
mW  
˚C  
Junction temperature  
T
j
150  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
600  
460  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
5.91  
Semiconductor Group  
1

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