BAV170

更新时间： 2024-10-01 08:48:55

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美微科 - MCC		整流二极管 PC
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3页	177K
描述
250mW Low Leakage Diode 85 Volts

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BAV170 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.17	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.215 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	3 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAV170 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

BAV170

Micro Commercial Components

Features

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

Very Low Leakage Current

250mW

Low Leakage Diode

85 Volts

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Mechanical Data

Case: SOT-23

Weight: approx. 0.008 grams

Marking Code: JX

SOT-23

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R(RMS)

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current

Single diode loaded

Note1

215

125

500

I_F

Double diode loaded

Note1

I_FRM

Repetitive Peak Forward Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

@ t=1.0us

@ t=1.0ms

@ t=1.0s

Power Dissipation

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

4.0

1.0

0.5

250

I_FSM

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

.085

.37

P_D

R_JA

T_J

K/W

^OC

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

Storage Temperature

500

150

T_STG

-65 to +150

Note 1: Device mounted on a FR4 printed circuit board

Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

(I_R=100uAdc)

Forward Voltage ⁽¹⁾

I_F=1.0mAdc

I_F=10mAdc

Min

Typ

Max

Units

Suggested Solder

Pad Layout

V_(BR)R

---

.031

.800

---

0.9

1.0

V_F

.035

.900

I_F=50mAdc

I_F=150mAdc

1.1

1.25

.079

2.000

inches

Leakage Current

(V_R=75Vdc)

I_R

---

5.0

---

Junction Capacitance

(V_R=0, f=1.0MHz)

Reverse Recovery Time

(I_F=10mA, I_R=10mA, Irr=0.1 x I_R

R_L=100OHMS)

C_j

2.0

.037

.950

t_rr

---

3.0

.037

.950

*(1) Short duration pulse test to minimize self-heating effect.

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

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