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BAT85S-TR

更新时间： 2024-09-26 06:41:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管小信号肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Small Signal Schottky Diode

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BAT85S-TR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.43
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BAT85S-TR 数据手册

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BAT85S  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Schottky Diode  
Features  
• Integrated protection ring against static  
discharge  
• Very low forward voltage  
• Lead (Pb)-free component  
e2  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
94 9367  
Applications  
• Applications where a very low forward voltage is  
required  
Mechanical Data  
Case: DO35 Glass case  
Weight: approx. 125 mg  
Cathode Band Color: black  
Packaging Codes/Options:  
TR/10 k per 13" reel (52 mm tape), 50 k/box  
TAP/10 k per Ammopack (52 mm tape), 50 k/box  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Type Marking  
BAT85S  
Remarks  
BAT85S  
BAT85S-TR or BAT85S-TAP  
Tape and Reel/Ammopack  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
VR  
Value  
30  
Unit  
V
Reverse voltage  
tp ≤ 10 ms  
tp ≤ 1 s  
IFSM  
IFRM  
IF  
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Forward continuous current  
Average forward current  
5
A
300  
200  
200  
mA  
mA  
mA  
PCB mounting, l = 4 mm;  
IFAV  
V
RWM = 25 V, Tamb = 50 °C  
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
350  
Unit  
K/W  
°C  
l = 4 mm, TL = constant  
Thermal resistance junction to ambient air  
Junction temperature  
Tj  
125  
Tstg  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
°C  
Document Number 85513  
Rev. 1.8, 26-Feb-07  
www.vishay.com  
1
12345

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BAT85S-TR 替代型号

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BAT85-TP-TP MCC

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