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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.25 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.24 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.6 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4004 | TAITRON |
功能相似  |
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER |
|
| 1N4004G | TAITRON |
功能相似 |
1.0A GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT85S-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diode |
|
| BAT85T/R | NXP |
获取价格 |
0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BAT85T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), |
|
| BAT85-TAP | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAT85-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BAT85-TP-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BAT85-TR | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| BAT86 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier diode |
|
| BAT86 | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Diodes |
|
| BAT86 | MCC |
获取价格 |
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES |
|
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