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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT854W | TYSEMI |
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Very low forward voltage Very low reverse current Guard ring protected |
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| BAT854W | NXP |
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Schottky barrier (double) diodes |
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| BAT854W | NEXPERIA |
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40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction |
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| BAT854W | KEXIN |
获取价格 |
Schottky barrier (double) diodes |
|
| BAT854W | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 |
|
| BAT854W,115 | NXP |
获取价格 |
BAT854W series - Schottky barrier (double) diodes SC-70 3-Pin |
|
| BAT854W-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction |
|
| BAT85AMO | NXP |
获取价格 |
0.2A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| BAT85AMO | PHILIPS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), |
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| BAT85-AP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
|
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