是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SC-70 | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 7.36 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.42 V | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 1 A | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.2 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAT854SW | NEXPERIA |
类似代替 |
40 V, 200 mA Schottky barrier dual diodeProduction | |
BAT854SW | NXP |
类似代替 |
Schottky barrier (double) diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAT854SWF | ETC |
获取价格 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | |
BAT854SW-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier dual diodeProduction | |
BAT854SWT/R | NXP |
获取价格 |
0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN | |
BAT854W | TYSEMI |
获取价格 |
Very low forward voltage Very low reverse current Guard ring protected | |
BAT854W | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier (double) diodes | |
BAT854W | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction | |
BAT854W | KEXIN |
获取价格 |
Schottky barrier (double) diodes | |
BAT854W | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 | |
BAT854W,115 | NXP |
获取价格 |
BAT854W series - Schottky barrier (double) diodes SC-70 3-Pin | |
BAT854W-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction |