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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 7.36 | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.42 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAT854SW | NEXPERIA |
类似代替  |
40 V, 200 mA Schottky barrier dual diodeProduction |
|
| BAT854SW | NXP |
类似代替 |
Schottky barrier (double) diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT854SWF | ETC |
获取价格 |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 |
|
| BAT854SW-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier dual diodeProduction |
|
| BAT854SWT/R | NXP |
获取价格 |
0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
|
| BAT854W | TYSEMI |
获取价格 |
Very low forward voltage Very low reverse current Guard ring protected |
|
| BAT854W | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier (double) diodes |
|
| BAT854W | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction |
|
| BAT854W | KEXIN |
获取价格 |
Schottky barrier (double) diodes |
|
| BAT854W | SWST |
获取价格 |
肖特基二极管 |
|
| BAT854W,115 | NXP |
获取价格 |
BAT854W series - Schottky barrier (double) diodes SC-70 3-Pin |
|
| BAT854W-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, 200 mA Schottky barrier diodeProduction |
|
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