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BAT854AW

更新时间： 2024-09-26 11:15:43

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	555K
描述
40 V, 200 mA Schottky barrier dual diodeProduction

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BAT854AW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.61	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAT854AW 数据手册

BAT854AW

40 V, 200 mA Schottky barrier dual diode

1 July 2023

Product data sheet

1. General description

Planar Schottky barrier dual diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated

in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Very low forward voltage

•

Very low reverse current

Guard ring protected

Very small SMD plastic package

3. Applications

•

Ultra high-speed switching

Voltage clamping

Protection circuits

Blocking diodes

Low power consumption applications (e.g. hand-held applications)

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per diode

I_F

forward current

reverse voltage

forward voltage

reverse current

200

V_R

V_F

I_R

I_F= 100 mA; T_amb= 25 °C

550

0.5

µA

V_R= 25 V; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

pulsed; T_amb= 25 °C

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

Simplified outline

Graphic symbol

cathode (diode 1)

cathode (diode 2)

common anode

A1; A2

A1, A2

006aaa439

SC-70 (SOT323)

12 3 4 5 6 7

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