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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-34 | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-34 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.15 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.03 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向电流： | 0.2 µA | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT83,113 | NXP |
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BAT83 |
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| BAT83,133 | NXP |
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BAT83 |
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| BAT83/A52A | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-34, 2 PIN, Signal D |
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| BAT83/A52R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-34, 2 PIN, Signal D |
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| BAT83116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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| BAT83136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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| BAT83143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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| BAT83AMO | NXP |
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DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
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| BAT83S | VISHAY |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT83S | GOOD-ARK |
获取价格 |
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