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BAT82T/R

更新时间: 2024-11-12 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 31K
描述
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode

BAT82T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:0.15 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.03 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.2 µA
最大反向恢复时间:0.001 µs表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BAT82T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BAT81; BAT82; BAT83  
Schottky barrier diodes  
1996 Mar 20  
Product specification  
Supersedes data of July 1991  

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