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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-34 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.15 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.03 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.2 µA | 最大反向恢复时间： | 0.001 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT82116 | NXP |
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DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
|
| BAT82133 | NXP |
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DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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| BAT82136 | NXP |
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DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
|
| BAT82143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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| BAT82AMO | NXP |
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DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
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| BAT82S | VISHAY |
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Schottky Barrier Diodes |
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| BAT82S | GOOD-ARK |
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| BAT82S-TAP | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
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| BAT82S-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Schottky Diodes |
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| BAT82T/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, Signal Diode |
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