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BAT750_R2_00001

更新时间: 2024-11-13 01:12:59
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强茂 - PANJIT 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 409K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

BAT750_R2_00001 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.66配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.75 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.35 W
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAT750_R2_00001 数据手册

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BAT750  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
FEATURES  
• Low VF  
• High current capability  
0.120(3.04)  
0.110(2.80)  
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)  
0.056(1.40)  
0.047(1.20)  
MECHANICAL DATA  
0.008(0.20)  
0.003(0.08)  
0.079(2.00)  
0.070(1.80)  
• Case : SOT-23, Plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Approx. Weight : 0.0003 ounces, 0.0084 grams  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
0.044(1.10)  
0.035(0.90)  
• Marking : 750  
0.020(0.50)  
0.013(0.35)  
C
3
1
2
A
N/C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Collector reverse voltage  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
V
V
R
RMS reverse voltage  
28  
V
V
R(RMS)  
Forward current (continuous)  
750  
490  
1500  
mA  
mV  
mA  
A
I
F
Forward voltage@  
I
F
=750mA  
VF  
Average peak forward current; DC=50%  
I
FAV  
FSM  
Non repetitive forward current t<100μs  
12  
5.5  
I
t<8.3ms  
Power dissipation@T  
A
=25oC  
350  
286  
mW  
OC/W  
OC  
P
TOT  
Typical thermal resistance, junction to ambient air  
Storage temperature range  
R
ΘJA  
-55 to + 150  
125  
TSTG  
Junction temperature  
OC  
T
J
May 9,2016-REV.03  
PAGE . 1  

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