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BAT750-GS18

更新时间: 2024-11-12 20:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
DIODE 0.75 A, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAT750-GS18 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.7配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.75 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAT750-GS18 数据手册

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BAT750  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Small Signal Schottky Diode  
Features  
• Very low forward voltage drop  
• Ultrafast switching  
• Ideal for hard-disk drive applications  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 Plastic case  
Weight: approx. 8.8 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Marking  
Remarks  
BAT750  
BAT750-GS18 or BAT750-GS08 K77 + Date Code  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
amb  
Test condition  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
Continuous reverse voltage  
Forward current  
V
R
I
750  
mA  
F
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
Thermal resistance junction to ambient air  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
R
°C/W  
thJA  
500  
T
150  
°C  
°C  
j
T
- 65 to + 150  
S
1)  
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Document Number 85845  
Rev. 1.1, 24-May-04  
www.vishay.com  
1

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