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BAT750

更新时间： 2024-09-23 12:50:03

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强茂 - PANJIT		肖特基二极管
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3页	108K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT750 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.28
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.75 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAT750 数据手册

BAT750

SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES

• Low VF

• High current capability

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

Case : SOT-23, Plastic

Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Weight: 0.008gram

Marking : 750

N/C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Collector reverse voltage

Symbol

Limit

Unit

RMS reverse voltage

R(RMS)

Forward current (continuous)

750

490

1500

Forward voltage@

=750mA

Average peak forward current; DC=50%

FAV

FSM

Non repetitive forward current t<100μs

5.5

t<8.3ms

Power dissipation@T

=25^oC

350

286

^OC/W

^OC

TOT

Typical thermal resistance, junction to ambient air

Storage temperature range

ΘJA

-55 to + 150

125

TSTG

Junction temperature

^OC

PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE

REV.0.1-NOV.06.2009

PAGE . 1

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