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BAT721S

更新时间： 2024-09-24 14:54:43

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先科 - SWST		肖特基二极管
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肖特基二极管

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BAT721S 数据手册

BAT721 / A / C / S

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

For small current rectification and switching applications

BAT721

BAT721A

BAT721C

BAT721S

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_R

Value

Unit

Reverse Voltage

Average Forward Current

I_F(AV)

I_FSM

T_j

200

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (8.3 ms)

Junction Temperature

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 µA

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

at I_F= 100 mA

300

420

550

V_F

at I_F= 200 mA

Reverse Current

at V_R= 30 V

at V_R= 30 V,TJ = 100℃

I_R

µA

Diode Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_d

1 / 3

Dated：01/02/2023 Rev: 04

12 3

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