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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> BAT68-05W
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BAT68-05W

更新时间： 2024-09-22 22:50:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 肖特基二极管微波混频二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
Silicon Schottky Diodes (For mixer applications in the VHF/UHF range For high speed switching)

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BAT68-05W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Microwave Mixer Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAT68-05W 数据手册

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BAT 68W  
Silicon Schottky Diodes  
Preliminary data  
• For mixer applications in the VHF/UHF range  
• For high speed switching  
BAT 68-04W  
BAT68-05W  
BAT68-06W  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BAT 68-04W 84s  
BAT 68-05W 85s  
BAT 68-06W 86s  
Q62702-  
Q62702-  
Q62702-  
Q62702-  
1 = A1  
1 = A1  
1 = K1  
1 = A  
2 = K2  
2 = A2  
2 = K2  
n.c.  
3 = K1/A2 SOT-323  
3 = K1/K2 SOT-323  
3 = A1/A2 SOT-323  
BAT 68W  
83s  
3 = K  
SOT-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Forward current  
V
R
8
I
130  
150  
150  
150  
mA  
mW  
F
Total power dissipation, BAT68W T =97°C  
P
S
tot  
tot  
j
Total power dissipation, BAW68-04...06W T =92°C P  
S
Junction temperature  
T
T
T
°C  
Operating temperature range  
Storage temperature  
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
op  
stg  
Thermal Resistance  
Junction - ambient, BAT68W  
Junction - ambient, BAT68-04W...06W  
Junctui - soldering point, BAT68W  
Junction - soldering point, BAT68-04W...06W  
R
thJA  
R
thJA  
R
thJS  
R
thJS  
≤ 435  
K/W  
≤
≤
550  
355  
390  
Semiconductor Group  
1
Dec-20-1996  
1234

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