5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 1.02 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.24 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.6 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30 V | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAT54XV2T1G | ONSEMI |
功能相似  |
Schottky Barrier Diodes |
|
| BAT54HT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Schottky Barrier Diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT54WX-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM |
|
| BAT54X | WINNERJOIN |
获取价格 |
Schottky barrier Diodes |
|
| BAT54X | FCI |
获取价格 |
200mA SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFER |
|
| BAT54X | LGE |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
| BAT54X | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
| BAT54X | UTC |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES |
|
| BAT54X | HTSEMI |
获取价格 |
Schottky Diodes |
|
| BAT54X | SECOS |
获取价格 |
0.2A , 30V Surface Mount Schottky Barrier Diode |
|
| BAT54X | TYSEMI |
获取价格 |
Extremely Fast Switching Speed Low forward voltage |
|
| BAT54X | WON-TOP |
获取价格 |
SMD |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
