Datasheet > BAT54TSDW-TP

BAT54TSDW-TP

更新时间： 2024-11-23 19:54:03

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	103K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT54TSDW-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.55	配置：	2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
元件数量：	4	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAT54TSDW-TP 数据手册

M C C

BAT54TW/ADW/

CDW/SDW/BRW

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

xꢀ Low Forward Voltage Drop

xꢀ Fast Switching

xꢀ Ultra-Small Surface Mount Package

200mWatt, 30Volt

Schottky Barrier Diode

xꢀ PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection

xꢀ Available in Lead Free Version

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Maximum Ratings

SOT-363

Continuos Reverse Voltage

V_R

I_F

30V

200mA

Forward Continuous Current

Repetitive Peak Forward Current

Peak Forward Current t<1s

I_FRM

I_FSM

P_D

300mA

600mA

Power Dissipation @ T_A= 25к

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Storage Temperature Range

Operating Temperature Range

200mW

625к/W

-65к to 125к

R_șJA

T_stg

T_j

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

INCHES

Ratings

Forward Voltage at

I_F= 0.1mA

Symbol

Max.

Notes

DIM

MIN

MAX

0.010

0.053

0.087

MIN

0.10

1.15

2.00

MAX

0.30

1.35

2.20

NOTE

0.004

0.045

0.079

240mV

320mV

400mV

500mV

1000mV

I_F= 1mA

I_F= 10mA

I_F= 30mA

I_F= 100mA

0.026 Nominal

0.65 Nominal

Note 1

0.010

0.071

---

0.016

0.30

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

0.087

0.004

0.039

0.016

0.010

1.80

---

V_F

0.035

0.010

0.004

0.90

0.25

0.10

Reverse Current

I_R

V_(BR)

C_J

V_R= 25V

2.0PA

Reverse Breakdown

Voltage

>30V

10pF

Measured at

1.0MHz, V_R=1.0V

Capacitance

Reverse Recovery

Time

I_F=I_R=10mA;

_REC=1mA,R_L=100ȍ

t_rr

5.0nS

Note 1 :Short duration test pulse used to minimize self-heating effect

www.mccsemi.com

Revision: 3

2008/01/01

2 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与BAT54TSDW-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54TSG-CC2-R	UTC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE FREE PACKAGE
BAT54TSL-CC2-R	UTC	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
BAT54TSPT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 30 Volts CURRENT 200 mAmperes
BAT54TSPTGP	CHENMKO	获取价格	Rectifier Diode,
BAT54T-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
BAT54T-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
BAT54TW	SECOS	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diode Array
BAT54TW	TYSEMI	获取价格	Low Forward Voltage Drop, Ultra-Small Surface Mount Package
BAT54TW	MCC	获取价格	200mWatt, 30Volt Schottky Barrier Diode
BAT54TW	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS

与BAT54TSDW-TP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54TSDW-TP

BAT54TSDW-TP 技术参数

BAT54TSDW-TP 数据手册

与BAT54TSDW-TP相关器件

与BAT54TSDW-TP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54TSDW-TP

BAT54TSDW-TP 技术参数

BAT54TSDW-TP 数据手册

与BAT54TSDW-TP相关器件

与BAT54TSDW-TP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？