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BAT54SWT1

更新时间： 2024-11-27 22:16:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
30 VOLT DUAL SERIES SCHOTTKY BARRIER DIODES

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BAT54SWT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.77	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAT54SWT1 数据手册

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by BAT54SWT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Motorola Preferred Device

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,

circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces

conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and

portable applications where space is limited.

30 VOLT

DUAL SERIES

SCHOTTKY BARRIER

DIODES

•

Extremely Fast Switching Speed

Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc

ANODE

CATHODE

CATHODE/ANODE

CASE 419–02, STYLE 9

SOT–323 (SC–70)

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

Volts

Forward Power Dissipation

@ T = 25°C

200

1.6

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current (DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

DEVICE MARKING

BAT54SWT1 = B8

200 Max

125 Max

°C

stg

–55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

(BR)R

Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)

7.6

0.5

Reverse Leakage (V = 25 V)

—

2.0

0.24

0.5

1.0

5.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)

—

0.22

0.41

0.52

—

Forward Voltage (I = 30 mAdc)

Forward Voltage (I = 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

(I = I = 10 mAdc, I

= 1.0 mAdc) Figure 1

R(REC)

Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

Forward Voltage (I = 10 mAdc)

Forward Current (DC)

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

—

FRM

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

—

FSM

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Thermal Clad is a registered trademark of the Bergquist Company.

REV 3

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

5–1

Motorola, Inc. 1997

12 3 4

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BAT54SWT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAT54SWT1G	ONSEMI	功能相似	Dual Series Schottky Barrier Diodes
BAT54SW-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

与BAT54SWT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54SW-T1	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54SWT1/D	ETC	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diode
BAT54SWT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diodes
BAT54SWT1G	FAIRCHILD	获取价格	Schottky Diodes
BAT54SW-T1-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P
BAT54SWT3	ONSEMI	获取价格	2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-70, 3 PIN
BAT54SW-T3	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54SWTF2	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
BAT54SWTHE3	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BAT54SWTHQ	YANGJIE	获取价格	SOT-323

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