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BAT54ST PDF预览

BAT54ST

更新时间： 2024-11-28 06:41:31
品牌 Logo 应用领域
SECOS 肖特基二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode

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BAT54ST 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

BAT54ST 数据手册

 浏览型号BAT54ST的Datasheet PDF文件第2页 
BAT54T Series  
BAT54T / BAT54AT / BAT54CT / BAT54ST  
Elektronische Bauelemente  
Surface Mount Schottky Barrier Diode  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
SOT-523  
Min  
FEATURES  
A
L
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
1.500  
1.700  
Fast Switching  
0.780 0.820  
0.800 0.820  
0.280 0.320  
0.900 1.100  
0.000 0.100  
0.100 0.200  
0.350 0.410  
0.490 0.510  
1.500 1.700  
0.280 0.320  
S
C
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
Top View  
B
V
G
MECHANICAL DATA  
·
·
Case: SOT-523, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
H
K
L
J
D
K
·
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.004 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
3
S
V
1
2
All Dimension in mm  
3
3
3
3
1
2
1
2
1
1
2
2
BAT54T Marking: L1  
BAT54AT Marking: L2  
BAT54CT Marking: L3  
BAT54ST Marking: L4  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25°C  
150  
4.2  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
I
200 Max  
125 Max  
mA  
F
T
°C  
J
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
0.5  
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
R
—
2.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
F
V
F
V
F
—
—
—
—
0.22  
0.29  
0.35  
—
0.24  
0.32  
0.40  
5.0  
F
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
V
V
—
—
—
—
—
0.41  
0.52  
—
0.50  
1.00  
200  
200  
400  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
F
Forward Current (DC)  
I
F
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
—
FRM  
I
—
FSM  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAT54ST/R PHILIPS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 0.2A, 30V V(RRM),
BAT54ST/R NXP

获取价格

 		0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
BAT54S-T1 WTE

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54S-T1 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.3A, 30V V(RRM), Silicon, SMD, 3 PIN
BAT54ST-13 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACK
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