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BAT54SDW

更新时间: 2024-02-09 22:33:15
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1页 102K
描述
SCHOTTKY DIODE

BAT54SDW 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-PDSO-G6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.89
配置:2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.24 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e0
元件数量:4端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:2 µA最大反向恢复时间:0.005 µs
反向测试电压:25 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL

BAT54SDW 数据手册

  
RoHS  
BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW  
BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW  
SCHOTTKY DIODE  
SOT-363  
FEATURES  
Power dissipation  
PD:  
200 mW (Tamb=25)  
Forward Current  
IF:  
Reverse Voltage  
VR:  
200 m A  
30  
V
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55to +150℃  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Test conditions  
IR= 100µA  
MIN  
MAX  
UNIT  
V
30  
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage current  
VR=25V  
2
µA  
IF=0.1mA  
IF=1mA  
240  
320  
400  
500  
1000  
VF  
mV  
Forward voltage  
IF=10mA  
IF=30mA  
IF=100mA  
CD  
t r r  
VR=1V, f=1MHz  
10  
Diode capacitance  
Reverse recovery time  
pF  
nS  
IF =10mA through IR=10mA  
5
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
to IR=1.0mA RC=100  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.  

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