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BAT54SD-G

更新时间： 2024-02-28 07:35:29
品牌 Logo 应用领域
TSC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 393K
描述
200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode

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BAT54SD-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54SD-G 数据手册

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BAT54T/AD/CD/SD/BR - G  
200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode  
Small Signal Product  
SOT-363  
Features  
◇ Fast switching speed  
◇ Low forward voltage drop  
◇ Moisture sensitivity level 1  
◇ Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
◇ Pb free version and RoHS compliant  
◇ Green compound (Halogen free) with suffix "G" on  
packing code and prefix "G" on date code  
Mechanical Data  
◇ Case :SOT-363 small outline plastic package  
◇ Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable  
per MIL-STD-202, method 208 guaranteed  
◇ High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s  
◇ Weight : 0.006 gram (approximately)  
Ordering Information (example)  
Packing code  
RF  
Packing code  
(Green)  
Part No.  
Package  
SOT-363  
Packing  
Manufacture code  
D0  
RFG  
BAT54T-G  
3K / 7" Reel  
Note : Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below.  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Value  
Symbol  
Units  
Parameter  
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Reverse Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
30  
V
Forward Continuous Current  
IF  
200  
300  
mA  
mA  
Repetitive Peak Forward Current  
Forward Surge Current @ t < 1.0 s  
Power Dissipation  
IFRM  
IFSM  
Pd  
600  
mA  
200  
mW  
°C/W  
oC  
Thermal resistance, junction to ambient air  
Operating and Storage temperature  
RθJA  
Tj, TSTG  
625  
-65 to 150  
Electrical Characteristics  
Min  
30  
--  
Max  
--  
Symbol  
Units  
Parameter  
IR=100μA  
IF=0.1mA  
IF=1mA  
V(BR)  
Reverse Breakdown Voltage  
V
0.24  
0.32  
0.40  
0.50  
1
--  
IF=10mA  
IF=30mA  
IF=100mA  
VR=25V  
VF  
Forward Voltage  
--  
V
--  
--  
IR  
CT  
trr  
--  
2.0  
10  
Reverse current  
μA  
pF  
nS  
VR=1V, f=1.0MHz  
--  
Total Capacitance  
IF=IR=10mA, RL=100Ω, IRR=1mA  
--  
5.0  
Reverse Recovery Time  
Version : A13  
1234

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