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BAT54S-MR

更新时间： 2024-01-25 23:26:51
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 二极管过程控制系统PCS
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
DIODE BAT54S MINIREEL 500PCS

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BAT54S-MR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54S-MR 数据手册

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DISCRETE POWER AND SIGNAL  
TECHNOLOGIES  
BAT54/A/C/S  
3
CONNECTION DIAGRAMS  
3
3
PACKAGE  
L4P  
SOT-23  
TO-236AB (Low)  
2 NC  
2
1
2
1
1
3
3
MARKING  
BAT54 L4P BAT54C L43  
BAT54A L42 BAT54S L44  
2
1
2
1
Schottky Barrier Diode  
Sourced from Process KA  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25OC unless otherwise noted  
Sym  
Parameter  
Value  
Units  
Tstg  
TJ  
Wiv  
IF  
Storage Temperature  
-55 to +150  
+150  
25  
OC  
OC  
Operating Junction Temperature  
Working Inverse Voltage  
DC Forward Current (IF)  
V
200  
mA  
mA  
mA  
mW  
OK/W  
if  
Recurrent Peak Forward Current (IFRM)  
300  
iF(surge) Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second  
600  
PD  
Total Power Dissipation at 25OC  
230  
Theta (Rth j-a) (Note 1)  
430  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired  
NOTES:  
1) From junction to ambient mounted on a ceramic substrate of 10 mm x 8 mm x 0.6 mm  
Electrical Characteristics  
TA = 25OC unless otherwise noted  
SYM  
BV  
CHARACTERISTICS  
MIN  
MAX  
UNITS  
V
TEST CONDITIONS  
Breakdown Voltage  
Reverse Leakage  
Forward Voltage  
30  
IR  
=
=
10 uA  
25 V  
IR  
2.0  
uA  
VR  
VF  
240  
320  
400  
500  
1.0  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
IF = 100 uA  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
1.0 mA  
10 mA  
30 mA  
IF = 100 mA  
CT  
Capacitance  
10  
pF  
VR  
f
=
=
1.0 V  
1.0 MHz  
TRR Reverse Recovery Time  
5.0  
ns  
IF= IR = 10 mA  
IRR 1.0 mA  
RL = 100 Ohms  
=
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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