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BAT54LP

更新时间： 2024-11-09 04:50:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT54LP 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PBCC-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.83
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER最大功率耗散：0.25 W
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM

BAT54LP 数据手册

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SPICE MODEL: BAT54LP  
BAT54LP  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Leadless Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
DFN1006-2  
·
·
·
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
G
Dim Min  
Max  
Typ  
H
A
B
C
D
G
H
N
R
0.95 1.075 1.00  
0.55 0.675 0.60  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
0.45  
0.20  
0.47  
0
0.55  
0.30  
0.53  
0.05  
¾
0.50  
0.25  
0.50  
0.03  
0.40  
0.10  
Mechanical Data  
·
·
A
Case: DFN1006-2  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
B
C
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: Cathode Dot  
¾
0.05  
0.15  
Terminals: Finish - NiPdAu annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
N
D
·
·
·
Marking: L1, Dot Denotes Cathode Side  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.001 grams  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
IF  
200  
300  
600  
mA  
mA  
mA  
Forward Continuous Current  
Repetitive Peak Forward Current  
Forward Surge Current  
IFRM  
IFSM  
@ t < 1.0s  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Pd  
Value  
250  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation (Note 4)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 4)  
Operating and Storage Temperature Range  
400  
Tj, TSTG  
-65 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
30  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
IR = 100mA  
¾
¾
V
IF = 0.1mA  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
240  
320  
400  
500  
mV  
Forward Voltage  
¾
¾
VF  
1000  
VR = 25V  
IR  
Reverse Leakage Current (Note 3)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
2.0  
mA  
VR = 1.0V, f = 1.0MHz  
CT  
¾
10  
pF  
IF = 10mA through IR = 10mA  
to IR = 1.0mA, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
4. Part mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. T = 25°C.  
A
DS30504 Rev. 10 - 2  
1 of 3  
BAT54LP  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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