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BAT54JW PDF预览

BAT54JW

更新时间： 2024-11-08 23:16:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY

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BAT54JW 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e0
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：25 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

BAT54JW 数据手册

 浏览型号BAT54JW的Datasheet PDF文件第2页 
BAT54TW /ADW /CDW /SDW  
/BRW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
SOT-363  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
A
B
C
B
TOP VIEW  
C
D
Mechanical Data  
0.65 Nominal  
F
G
H
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
H
·
Case Material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
J
K
J
M
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
L
D
F
M
·
·
·
Orientation: See Diagrams Below  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
Marking: See Diagrams Below & Page 2  
a
All Dimensions in mm  
AC  
1
AC  
C2  
A1  
C2  
A2  
A2  
C3  
C1  
A2  
C2  
C1  
C2  
C2  
C1  
1
AC  
2
AC  
2
A2  
C1  
C1  
C2  
A3  
A1  
A1  
A1  
C1  
A1  
A2  
A2  
A1  
BAT54SDW*  
Marking: KL8  
BAT54CDW*  
Marking: KL7  
BAT54TW  
Marking: KLA  
BAT54ADW*  
Marking: KL6  
BAT54BRW  
Marking: KLB  
*Symmetrical configuration, no orientation indicator.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
IF  
IFRM  
IFSM  
200  
300  
mA  
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Repetitive Peak Forward Current (Note 1)  
Forward Surge Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
600  
mA  
@ t < 1.0s  
Pd  
200  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
625  
-65 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IR = 100mA  
IF = 0.1mA  
V(BR)R  
30  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
¾
¾
V
240  
320  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
400  
mV  
Forward Voltage (Note 2)  
¾
¾
VF  
500  
1000  
VR = 25V  
IR  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
2.0  
10  
mA  
VR = 1.0V, f = 1.0MHz  
CT  
¾
pF  
IF = 10mA through IR = 10mA  
to IR = 1.0mA, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30152 Rev. 7 - 2  
1 of 2  
BAT54TW /ADW /CDW /SDW /BRW  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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