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BAT54CDW

更新时间： 2024-01-09 23:34:05
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鲁光 - LGE 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 276K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode Arrays

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BAT54CDW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54CDW 数据手册

 浏览型号BAT54CDW的Datasheet PDF文件第2页 
BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW  
Surface Mount Schottky Barrier Diode Arrays  
SOT-363  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
Mechanical Data  
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Case Material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
·
·
·
Orientation: See Diagrams Below  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
Marking: See Diagrams Below & Page 2  
Dimensions in inches and (millimeters)  
AC  
1
AC  
C2  
A1  
C2  
A2  
A2  
C3  
C1  
A2  
C2  
C1  
C2  
C2  
C1  
1
AC  
2
AC  
2
A2  
C1  
C1  
C2  
A3  
A1  
A1  
A1  
C1  
A1  
A2  
A2  
A1  
BAT54SDW*  
Marking: KL8  
BAT54CDW*  
Marking: KL7  
BAT54TW  
Marking: KLA  
BAT54ADW*  
Marking: KL6  
BAT54BRW  
Marking: KLB  
*Symmetrical configuration, no orientation indicator.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
IF  
IFRM  
IFSM  
200  
300  
mA  
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Repetitive Peak Forward Current (Note 1)  
Forward Surge Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
600  
mA  
@ t < 1.0s  
Pd  
200  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
625  
-65 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
R = 100mA  
IF = 0.1mA  
V(BR)R  
30  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
I
¾
¾
V
240  
320  
400  
500  
1000  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
mV  
Forward Voltage (Note 2)  
¾
¾
VF  
V
V
R = 25V  
R = 1.0V, f = 1.0MHz  
IR  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
2.0  
10  
mA  
CT  
¾
pF  
IF = 10mA through IR = 10mA  
to IR = 1.0mA, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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