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BAT54CDW PDF预览

BAT54CDW

更新时间： 2024-01-12 04:38:27
品牌 Logo 应用领域
SECOS 肖特基二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diode Array

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BAT54CDW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54CDW 数据手册

 浏览型号BAT54CDW的Datasheet PDF文件第2页 
BAT54TW / BAT54ADW /BAT54CDW  
BAT54SDW/ BAT54BRW  
Elektronische Bauelemente  
Surface Mount Schottky Barrier Diode Array  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
FEATURES  
SOT-363  
Min  
Dim  
A
B
C
D
F
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
·
·
·
Low Turn-on Voltage  
A
Fast Switching  
0.10  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
1.15  
C
B
2.00  
0.65 Nominal  
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
MECHANICAL DATA  
H
H
J
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
K
J
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
F
·
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.016 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
M
a
4
5
6
O
All Dimensions in mm  
3
2
1
BAT54TW Marking: KLA  
BAT54ADW Marking: KL6  
BAT54CDW Marking: KL7  
BAT54SDW Marking: KL8  
BAT54BRW Marking:KLB  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
I
200 Max  
125 Max  
mA  
°C  
F
T
J
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
—
0.5  
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
V
V
—
0.22  
0.41  
0.52  
—
F
F
F
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
—
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
—
Reverse Recovery Time  
t
—
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
—
—
—
—
—
0.29  
0.35  
—
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
F
Forward Current (DC)  
I
F
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
I
—
FRM  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
—
FSM  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAT54CDW_15 UTC

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