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BAT54AT/R

更新时间: 2024-02-04 12:26:04
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 半导体二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

BAT54AT/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:6.92
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.24 VJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:0.3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向恢复时间:0.005 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BAT54AT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAT54 series  
Schottky barrier (double) diodes  
Product specification  
2002 Mar 04  
Supersedes data of 2001 Oct 12  

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