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BAT54ALT1

更新时间： 2024-02-07 02:47:29

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乐山 - LRC		二极管
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2页	62K
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Schottky Barrier Diodes

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BAT54ALT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-346	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.68
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	TO-236AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAT54ALT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky Barrier Diodes

BAT54ALT1

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switch-

ing applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely

low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount

package is excellent for hand held and portable applications where

space is limited.

30 VOLTS SCHOTTKY BARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I _F= 10 mAdc

ORDERING INFORMATION

CASE 318, STYLE 12

SOT–23 (TO–236AB)

Device

Package

Shipping

BAT54ALT1

SOT–23

3000/Tape & Reel

CATHODE

Preferred: devices are recommended choices for future use and best overall value.

ANODE

CATHODE

DEVICE MARKING

BAT54ALT1 = B6

MAXIMUM RATINGS (T _J= 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Max

Unit

V _R

P _F

Volts

Forward Power Dissipation

@ T _A= 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current(DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

I_F

200Max

125Max

–55 to +150

T _J

°C

T _stg

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

C_T

Min

—

Typ

—

Max

Unit

Volts

Reverse Breakdown Voltage (I _R= 10 µA)

Total Capacitance (V _R= 1.0 V, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage (V _R= 25 V)

—

7.6

I_R

—

0.5

2.0

0.24

0.5

1.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I _F= 0.1 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 30 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

V_F

—

0.22

0.41

0.52

V_F

—

V_F

—

t_rr

—

5.0

(I _F= I _R= 10 mAdc, I _R(REC)= 1.0 mAdc, Figure 1)

Forward Voltage (I _F= 1.0 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 10 mAdc)

Forward Current (DC)

V_F

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

I_F

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

I_FRM

I_FSM

—

BAT54ALT1–1/2

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