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BAT46WJ,135 PDF预览

BAT46WJ,135

更新时间: 2024-11-17 14:50:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 323K
描述
DIODE 0.25 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SC-90, 2 PIN, Signal Diode

BAT46WJ,135 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SC-90
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.3
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.0059 µs
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAT46WJ,135 数据手册

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BAT46WJ  
Single Schottky barrier diode  
Rev. 1 — 28 July 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Single planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection,  
encapsulated in a very small and flat lead SOD323F (SC-90) Surface-Mounted Device  
(SMD) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
„ Low forward voltage  
„ Reverse voltage VR 100 V  
„ Very small and flat lead SMD plastic  
package  
„ Low capacitance  
„ AEC-Q101 qualified  
1.3 Applications  
„ High-speed switching  
„ Line termination  
„ Voltage clamping  
„ Reverse polarity protection  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VR  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
100  
850  
4
Unit  
V
reverse voltage  
forward voltage  
reverse current  
-
-
-
-
-
-
[1]  
[1]  
VF  
IF = 250 mA  
VR = 75 V  
mV  
μA  
IR  
[1] Pulse test: tp 300 μs; δ ≤ 0.02.  
2. Pinning information  
Table 2.  
Pinning  
Pin  
1
Description  
cathode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
[1]  
1
2
1
2
2
anode  
sym001  
[1] The marking bar indicates the cathode.  

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