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BAT43X-M0RSG

更新时间： 2024-09-24 01:14:31

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TSC		光电二极管
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5页	139K
描述
SOD-523F IFSM=4A 30V/200mA Schottky Diode

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BAT43X-M0RSG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BAT43X-M0RSG 数据手册

BAT43X

Taiwan Semiconductor

Small Signal Product

SOD-523F I_FSM=4A 30V/200mA Schottky Diode

FEATURES

- Low Forward Voltage Drop

- Fast Switching Time

- Surface Mounted Device

- Moisture sensitivity level 1

- Pb free and RoHS compliant

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

MECHANICAL DATA

SOD-523F

- Case: Flat lead SOD-523F package

- High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s

- Weight: 9.9mg (approximately)

APPLICATION

- Portable consumer electronic devices

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Working Peak Reverse Voltage

V_RWM

V_R

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

Forward Continuous Currect

Peak Forward Surge Current @t< 10ms

Repetitive Peak Forward Current @t< 1.0s

Power Dissipation

200

I_FSM

I_FRM

P_D

500

^oC/W

^oC

200

Thermal Resistance form Junction to Ambient

Junction Temperature

R_thjA

T_J

500

125

^oC

Storage Temperature Range

T_STG

- 55 to + 150

PARAMETER

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Current

TEST CONDITION

at I_R= 10 μA

MIN

MAX

SYMBOL

UNIT

V_(BR)

at V_R= 25 V

I_R

0.5

0.33

0.45

µA

at I_F= 2mA

0.26

at I_F= 15mA

V_F

Forward Voltage

at I_F= 200mA

V_R=1V, f=1.0MHz

I_F=I_R=10mA

Capacitance Between Terminals

Reverse Recovery Time

C_T

t_rr

I_rr=0.1XI_R, R_L=100Ω

Version: A14

Document Number: DS_S1405008

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