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BAT43WS

更新时间： 2024-02-13 11:29:36

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美丽微 - FORMOSA		二极管
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2页	88K
描述
Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type

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BAT43WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAT43WS 数据手册

Advanced Schottky Barrier Diodes

Formosa MS

BAT43WS

Surface mount small signal type

Extermely thin package

0.087 (2.2)

0.071 (1.8)

0.012(0.3) Typ.

Low stored charge

Majoritycarrier conduction

R0.3 (0.012) Typ.

0.055 (1.4)

0.039 (1.0)

0.043 (1.1)

0.028 (0.7)

Mechanical data

Case : Molded plastic, 0805

Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0805

Polarity: Indicated by cathode band

Mounting Position : Any

Weight :0.000159 ounce, 0.0045 gram

MAXIMUM RATINGS (AT T_A=25 C unless otherwise noted)

PARAMETER

Repetitive peak reverse voltage

RMS Reverse voltage

CONDITIONS

Symbol

V_RRM

V_R(RMS)

I_O

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Mean rectifying current

100

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC methode)

Forward surge current

I_FSM

4.0

Power dissipation

P_d

C_T

200

Capacitance between terminals

Storage temperature

f=1MHz and applied 10VDC reverse voltage

T_J

-55

+125

Operating temperature

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AT T_A=25 C unless otherwise noted)

PARAMETER

Forward voltage

CONDITIONS

Symbol

MIN.

0.26

TYP.

MAX.

0.33

0.45

1.00

500

UNIT

IF = 2.0 mA DC

IF = 15 mA DC

IF = 200 mA DC

V_R= 25 V

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

V_R= 25 V , T_j=100 C

100

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