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BAT43

更新时间： 2024-02-13 00:52:45

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JINANJINGHENG		小信号肖特基二极管
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描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

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BAT43 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAT43 数据手册

BAT42,BAT43

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

E M I C O N D U C T O R

FEATURES

DO-35

For general purpose applications

These diodes features very low turn-on voltage and fast

switching. These devices are protected by a PN

junction guard ring against excessive

voltage, such as electrostatic discharges.

These diodes are also available in the Mini-MELF case

with type designation LL42 to LL43and in the SOD-123 case

with the type designation BAT42W to BAT43W,in the Micro-MELF case

with type designation MCL42 to MCL43

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 glass case

Polarity:color band denotes cathode end

Weight: Approx. 0.13 gram

Dimensions in inches and (millimeters)

ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES)

Value

Symbols

Units

Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

200¹⁾

500 ¹⁾

Forward Continuous Current at TA=25 C

IFRM

Repetitive Peak Forward Current at t^p1s, d 0.5,

TA=25 C

Surge forward current at t^p10mS ,

TA=25 C

IFSM

Ptot

Power Dissipation¹⁾at

TA=65 C

200 ¹⁾

Junction temperature

125

Ambient Operating temperature Range

Storage Temperature Range

-65 to+125

-65 to+150

TSTG

1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbols

V(BR)R

Min.

Max.

Typ.

Unis

Reverse breakdown voltage Tested with 100mA Pulses

Forward voltage Pulse Test t^p300ms,d 2%

at I^F=200mA,

0.4

atI^F=10mA,

atI^F=50mA,

at I^F=2mA ,

atI^F=15mA,

BAT42

BAT43

0.65

0.33

0.45

0.26

Leakage current pulse test t^p300ms ,d 2% at V^R=25V,

T^J=25 C; at V^R=25V, T^J=100

0.5

100

Junction Capacitance at V^R=25V ,f=1MHz

Reverse Recovery time Form I =10mA,through

=1mA =100W

Ctot

trr

Detection efficiency at R^L=15KW C^L=300pF,f=45MHz, V^R=2V

300 ¹⁾

K/W

Thermal resistance junction to ambient air

RqJA

1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature(DO-35)

2-19

NO.51 HEPING ROAD PR CHINA TEL:86-531-6943657 FAX:86-531-6947096

WWW.JIFUSEMICON.COM

JINAN JINGHENG CO., LTD.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT43-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, Silicon,
BAT43-A-F	DIODES	获取价格	Rectifier Diode,
BAT43-AP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
BAT43AR1	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AR2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AZ1	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AZ2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43-B	DIODES	获取价格	暂无描述
BAT43-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
BAT43B2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE

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