5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 1.06 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 909521 | Samacsys Pin Count： | 2 |
| Samacsys Part Category： | Schottky Diode | Samacsys Package Category： | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting |
| Samacsys Footprint Name： | BAT42-TR-1 | Samacsys Released Date： | 2019-01-07 10:52:27 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.33 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.005 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAT42 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT42VS | UTC |
获取价格 |
schottky diode |
|
| BAT42W | TYSEMI |
获取价格 |
Low Forward Voltage Drop Fast Switching Time Automatic Insertion |
|
| BAT42W | HTSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES |
|
| BAT42W | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| BAT42W | SUNMATE |
获取价格 |
Patch Schottky diode 30V SOD-123 series |
|
| BAT42W | FCI |
获取价格 |
200 mA Surface Mounted Schottky Barrier Rectifiers Low Forward Voltage Drop |
|
| BAT42W | JINANJINGHENG |
获取价格 |
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES |
|
| BAT42W | SHUNYE |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES |
|
| BAT42W | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| BAT42W | TSC |
获取价格 |
200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
