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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.65 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAT42B2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| BAT42L | BL Galaxy Electrical |
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0.1A,30V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes |
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| BAT42-L0R0G | TSC |
获取价格 |
Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diode |
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| BAT42LS | NEXPERIA |
获取价格 |
General-purpose Schottky diodeProduction |
|
| BAT42LS-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
General-purpose Schottky diodeProduction |
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| BAT42R0G | TSC |
获取价格 |
Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diode |
|
| BAT42-T | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-35, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
| BAT42-TAP | VISHAY |
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Schottky Diodes |
|
| BAT42-T-F | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| BAT42-TR | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Diodes |
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