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BAT41

更新时间： 2024-09-24 14:48:47
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1页 62K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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BAT41 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-204AHJESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.4 W参考标准：TS 16949
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.005 µs
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAT41 数据手册

  
TH09/2479  
IATF 0113686  
TH97/2478  
SGS TH07/1033  
www.eicsemi.com  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
BAT41  
DO - 35 Glass  
(DO-204AH)  
VRRM : 100V  
FEATURES :  
• For general purpose applications  
• This diode features low turn-on voltage and high  
breakdown voltage. This device is protected by a  
PN junction guard ring against excessive voltage,  
such as electrostatic discharges  
• This diode is also available in a MiniMELF case  
with type designation LL41  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
0.150 (3.8)  
Cathode  
max.  
Mark  
• Pb / RoHS Free  
1.00 (25.4)  
0.020 (0.52)max.  
min.  
MECHANICAL DATA :  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
IF  
Value  
Unit  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Repetitive Peak Forward Current at tp < 1s  
Forward Surge Current at tp = 10 ms,  
Power Dissipation  
100  
100 (1)  
350 (1)  
750 (1)  
mA  
mA  
mA  
W
IFRM  
IFSM  
400(1)  
PD  
300(1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
Rq  
°C/W  
°C  
JA  
TJ  
Ta  
TS  
125  
Ambient Operating Temperature Range  
Storage temperature range  
-65 to + 125  
-65 to + 150  
°C  
°C  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Min  
Typ  
Max  
-
Unit  
V
Test Condition  
Parameter  
Reverse Breakdown Voltage (2)  
Symbol  
V(BR)R  
IR = 100 mA  
100  
110  
VR = 50 V  
-
-
-
-
-
-
-
100  
20  
nA  
mA  
Reverse Current (2)  
IR  
VR = 50 V , TJ = 100 °C  
IF = 1mA  
0.4  
-
0.45  
1.0  
-
Forward Voltage Drop (2)  
Diode Capacitance  
VF  
V
IF = 200mA  
VR = 0 V, f = 1MHz  
IF = 10mA, IR = 10mA,  
Irr = 1mA , RL = 100W  
Cd  
Trr  
2
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
-
5
-
Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.  
(2) Pulse test, tp = 300ms  
Page 1 of 1  
Rev. 02 : March 24, 2005  
1

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