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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAT400D-7-F
BAT400D-7-F PDF预览

BAT400D-7-F

更新时间： 2024-09-23 03:28:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
0.5A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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BAT400D-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.22
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：440659Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Schottky DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT23_3Samacsys Released Date：2018-05-16 15:33:30
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.3 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：3 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.48 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

BAT400D-7-F 数据手册

 浏览型号BAT400D-7-F的Datasheet PDF文件第2页 
BAT400D  
0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
Voltage Range  
40 Volts  
480m Watts Power Dissipation  
SOT-23  
Features  
0.020(0.51)  
0.015(0.37)  
ꢀ
Low forward voltage drop  
High conductance  
ꢀ
0.055(1.40) 0.098(2.50)  
0.047(1.19) 0.083(2.10)  
Mechanical Data  
ꢀ
Case: SOT-23, Molded plastic  
ꢀ
Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See diagram  
Marking: KSJ  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
0.041(1.05)  
0.047(0.89)  
0.080(2.05)  
0.070(1.78)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
ꢀ
ꢀ
0.120(3.05)  
0.104(2.65)  
0.043(1.10)  
0.035(0.89)  
0.007(0.178)  
0.003(0.076)  
0.006(0.15)  
0.001(0.013)  
0.024(0.61)  
0.018(0.45)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.  
Maximum Ratings  
Type Number  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VR  
BAT400D  
Units  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
Io  
28  
0.5  
V
A
RMS Reverse Voltage  
Average Rectified Cureent  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
Power Dissipation (see figure 1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
(Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Electrical Characteristics  
Type Number  
IFSM  
Pd  
3
A
480  
mW  
RθJA  
286  
OC /W  
OC  
TJ, TSTG  
-40 to + 125  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Units  
V(BR)  
40  
- -  
V
Reverse Breakdown Voltage  
IR=1mA  
Reverse Leakage Current (Note 2) VR=10V  
VR=30V  
Forward Voltage Drop (Note 2) IF=10mA  
IF=500mA  
uA  
uA  
-
-
-
-
1.0  
2.0  
285  
480  
125  
20  
30  
50  
300  
550  
-
IR  
VF  
mV  
pF  
Junction Capacitance  
VR=0, f=1.0MHz  
VR=10, f=1.0MHz  
Cj  
-
-
Notes: 1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.  
2. Short Duration Pulse Test used to Minimize Self-Heating Effect..  
- 36 -  
12

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